2N5655

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N5655 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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2N5655 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For use in line-operated equipment such as audio output amplifiers; low-current ,high-voltage converters; and AC line relays PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N5655 2N5656 2N5657 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N5655 VCBO Collector-base voltage 2N5656 2N5657 2N5655 VCEO Collector-emitter voltage 2N5656 2N5657 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 275 325 375 250 300 350 6 0.5 1.0 0.25 20 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 6.25 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N5655 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5656 2N5657 VCEsat-1 VCEsat-2 VCEsat-3 VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N5655 ICEO Collector cut-off current 2N5656 2N5657 2N5655 ICBO Collector cut-off current 2N5656 2N5657 ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 hFE-4 fT COB Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance IC=100mA ;IB=10mA IC=250mA ;IB=25mA SYMBOL 2N5655 2N5656 2N5657 CONDITIONS MIN 250 TYP. MAX UNIT IC=0.1A; IB=0;L=50mH 300 350 1.0 2.5 10 1.0 V V V V V IC=500mA ;IB=100mA IC=100mA ; VCE=10V VCE=150V; IB=0 VCE=200V; IB=0 VCE=250V; IB=0 VCB=275V; IE=0 VCB=325V; IE=0 VCB=375V; IE=0 VCE= Rated VCEO; VBE(off)=1.5V TC=100 VEB=6V; IC=0 IC=50mA ; VCE=10V IC=100mA ; VCE=10V IC=250mA ; VCE=10V IC=500mA ; VCE=10V IC=50mA ; VCE=10V;f=10MHz f=100kHz ; VCB=10V;IE=0 25 30 15 5 10 0.1 mA 10 µA 0.1 1.0 10 mA µA 250 MHz 25 pF 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5655 2N5656 2N5657 Fig.2 Outline dimensions 3

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2N5655

1. 物料型号： - 2N5655 - 2N5656 - 2N5657

2. 器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-126封装，具有高击穿电压，适用于线路操作设备（如音频输出放大器）、低电流高电压转换器和交流线路继电器。

3. 引脚分配： - 1：发射极（Emitter） - 2：集电极；连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - 3：基极（Base）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）： - VCBO（集电极-基极电压）：2N5655为275V，2N5656为325V，2N5657为375V。 - VCEO（集电极-发射极电压）：2N5655在开基极时为250V，2N5656为300V，2N5657为350V。 - VEBO（发射极-基极电压）：开集电极时为6V。 - lc（集电极电流）：0.5A。 - IcM（集电极峰值电流）：1.0A。 - lB（基极电流）：0.25A。 - PD（总功率耗散）：在25°C时为20W。 - Tj（结温）：150°C。 - Tstg（存储温度）：-65°C至150°C。 - 热特性： - Rthjc（结到案例的热阻）：6.25℃/W。

5. 功能详解： - 包括了维持电压、饱和电压、基极-发射极导通电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、转换频率和输出电容等参数的最小值、典型值和最大值。

6. 应用信息： - 用于线路操作设备如音频输出放大器、低电流高电压转换器和交流线路继电器。

7. 封装信息： - TO-126封装，文档中包含了简化外形图和符号。

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