1. 物料型号：
- 型号：2N5873 和 2N5874，均为Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-3封装，具有低集电极饱和电压，适用于中速开关和放大应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1：基极（Base）
- PIN 2：发射极（Emitter）
- PIN 3：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：2N5873为60V，2N5874为80V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：2N5873为60V，2N5874为80V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：开路集电极时为5V。
- 集电极电流（IC）：最大7A。
- 耗散功率（PD）：在Tc=25℃时为115W。
- 结温（Tj）：最大150℃。
- 存储温度（Tstg）：-65℃至+200℃。
5. 功能详解和应用信息：
- 2N5873和2N5874适用于中速开关和放大应用，具有较低的集电极饱和电压和较高的集电极-发射极电压。
- 热阻（Rthjc）：结到外壳的热阻为1.17℃/W。
6. 封装信息：
- 提供了TO-3封装的外形图和尺寸，未标注的公差为±0.10mm。
