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2N6110

2N6110

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6110 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6110 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6106 2N6108 2N6110 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·With short pin APPLICATIONS ·Power amplifier and switching circuits applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N6106 VCBO Collector-base voltage 2N6108 2N6110 2N6106 VCEO Collector-emitter voltage 2N6108 2N6110 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -40 -60 -80 -30 -50 -70 -5 -7 -10 -3 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6106 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6108 2N6110 VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6106 ICEO Collector cut-off current 2N6108 2N6110 2N6106 ICEX Collector cut-off current 2N6108 2N6110 IEBO Emitter cut-off current 2N6106 hFE-1 DC current gain 2N6108 2N6110 hFE-2 COB fT DC current gain Output capacitance Transition frequency IC=-7A;IB=-3A IC=-7A ; VCE=-4V VCE=-20V; IB=0 VCE=-40V; IB=0 VCE=-60V; IB=0 IC=-0.1A ;IB=0 SYMBOL 2N6106 2N6108 2N6110 CONDITIONS MIN -30 -50 -70 TYP. MAX UNIT V -3.5 -3.0 V V -1.0 mA VCE=-40V; VBE=1.5V VCE=-30V; BE=1.5V,TC=125 VCE=-60V; VBE=1.5V VCE=-50V; BE=1.5V,TC=125 VCE=-80V; VBE=1.5V VCE=-70V; BE=1.5V,TC=125 VEB=-5V; IC=0 IC=-2A ; VCE=-4V IC=-2.5A ; VCE=-4V IC=-3A ; VCE=-4V IC=-7A ; VCE=-4V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-4V;f=1MHz 10 2.3 30 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -1.0 mA mA 150 250 pF MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6106 2N6108 2N6110 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2N6110
1. 物料型号: - 2N6106、2N6108、2N6110是SavantIC Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些器件采用TO-220封装,适用于功率放大器和开关电路应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:安装底(mounting base),连接到集电极(Collector) - 3号引脚:基极(Base)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - 2N6106:集电极-基极电压VCBO为-40V,集电极-发射极电压VCEO为-30V。 - 2N6108:VCBO为-60V,VCEO为-50V。 - 2N6110:VCBO为-80V,VCEO为-70V。 - 热特性: - 从结到外壳的热阻Rth j-c为3.125℃/W。

5. 功能详解: - 这些晶体管在特定条件下的性能参数,如集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极截止电流(ICEO)、集电极截止电流(IcEx)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)、输出电容(CoB)和转换频率(fr)。

6. 应用信息: - 适用于功率放大器和开关电路。

7. 封装信息: - 提供了TO-220封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.10mm。
2N6110 价格&库存

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