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2N6111

2N6111

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6111 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6111 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to NPN type: 2N6288; 2N6290 ;2N6292 APPLICATIONS ·Power amplifier and switching circuits applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N6107 2N6109 2N6111 Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N6107 VCBO Collector-base voltage 2N6109 2N6111 2N6107 VCEO Collector-emitter voltage 2N6109 2N6111 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -40 -60 -80 -30 -50 -70 -5 -7 -10 -3 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6107 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6109 2N6111 VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6107 ICEO Collector cut-off current 2N6109 2N6111 2N6107 ICEX Collector cut-off current 2N6109 2N6111 IEBO Emitter cut-off current 2N6107 hFE-1 DC current gain 2N6109 2N6111 hFE-2 fT DC current gain Transition frequency IC=-7A;IB=-3A IC=-7A ; VCE=-4V VCE=-20V; IB=0 VCE=-40V; IB=0 VCE=-60V; IB=0 IC=-0.1A ;IB=0 SYMBOL 2N6107 2N6109 2N6111 CONDITIONS MIN -30 -50 -70 TYP. MAX UNIT V -3.5 -3.0 V V -1.0 mA VCE=-40V; VBE=-1.5V VCE=-30V; BE=-1.5V,TC=125 VCE=-60V; VBE=-1.5V VCE=-50V; BE=-1.5V,TC=125 VCE=-80V; VBE=-1.5V VCE=-70V; BE=-1.5V,TC=125 VEB=-5V; IC=0 IC=-2A ; VCE=-4V IC=-2.5A ; VCE=-4V IC=-3A ; VCE=-4V IC=-7A ; VCE=-4V IC=-0.5A ; VCE=-4V;f=1MHz 2.3 10 30 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -1.0 mA mA 150 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6107 2N6109 2N6111 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2N6111
1. 物料型号: - 型号包括2N6107、2N6109、2N6111。

2. 器件简介: - 这些是SavantIC Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管,采用TO-220封装,是NPN型晶体管(如2N6288、2N6290、2N6292)的补充。

3. 引脚分配: - 根据PINNING表格: - 引脚1:发射极(Emitter) - 引脚2:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 引脚3:基极(Base)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值($Ta=25°C$): - VCBO(集电极-基极电压):2N6107为-40V,2N6109为-60V,2N6111为-80V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2N6107为-30V,2N6109为-50V,2N6111为-70V。 - VEBO(发射极-基极电压):-5V。 - lc(集电极电流):-7A。 - ICM(集电极峰值电流):-10A。 - ls(基极电流):-3A。 - PT(总功率耗散):40W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-65~150°C。

5. 功能详解: - 这些晶体管在工作时,结温为25°C(除非另有说明)。 - 包括VCEO(sus)(集电极-发射极维持电压)、VCEsat(集电极-发射极饱和电压)、VBE(基极-发射极导通电压)、ICEO(集电极截止电流)、IcEx(集电极截止电流)、IEBO(发射极截止电流)、hFE-1(直流电流增益)、hFE-2(直流电流增益)、fr(过渡频率)等参数。

6. 应用信息: - 适用于功率放大器和开关电路应用。

7. 封装信息: - 封装为TO-220,具体外形尺寸如图2所示,未标明的公差为±0.10mm。
2N6111 价格&库存

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