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2N6121

2N6121

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6121 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6121 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to PNP type : 2N6124 ;2N6125 ;2N6126 APPLICATIONS ·For use in power amplifier and switching circuit applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2N6121 2N6122 2N6123 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N6121 VCBO Collector-base voltage 2N6122 2N6123 2N6121 VCEO Collector-emitter voltage 2N6122 2N6123 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 45 60 80 45 60 80 5 4 8 1 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6121 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6122 2N6123 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6121 ICEX Collector cut-off current 2N6122 2N6123 2N6121 ICEO Collector cut-off current 2N6122 2N6123 IEBO Emitter cut-off current 2N6121 IC=1.5A;IB=0.15A IC=4.0A;IB=1.0A IC=1.5A ; VCE=2V VCE=45V;VBE=1.5V TC=125 VCE=60V;VBE=1.5V TC=125 VCE=80V;VBE=1.5V TC=125 VCE=45V;IB=0 VCE=60V;IB=0 VCE=80V;IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ;IB=0 SYMBOL 2N6121 2N6122 2N6123 CONDITIONS MIN 45 60 80 TYP. MAX UNIT V 0.6 1.4 1.2 0.1 2.0 0.1 2.0 0.1 2.0 V V V mA 1.0 mA 1.0 mA 25 hFE-1 DC current gain 2N6122 2N6123 2N6121 10 hFE-2 DC current gain 2N6122 2N6123 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=4V IC=4A ; VCE=2V 7 2.5 IC=1.5A ; VCE=2V 20 100 80 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6121 2N6122 2N6123 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2N6121
1. 物料型号: - 2N6121、2N6122、2N6123是硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-220封装,与PNP型号2N6124、2N6125、2N6126互补,适用于功率放大器和开关电路应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):2N6121为45V,2N6122为60V,2N6123为80V。 - VCEO(集电极-发射极电压):与VCBO相同。 - VEBO(发射极-基极电压):5V。 - Ic(集电极电流):4A。 - ICM(集电极峰值电流):8A。 - IB(基极电流):1A。 - PT(总功率耗散):40W。 - T(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-65°C至150°C。 - 热特性: - Rinjc(结到外壳的热阻):最大3.125°C/W。

5. 功能详解应用信息: - 这些晶体管在25°C下工作,除非另有说明。 - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):2N6121为45V,2N6122为60V,2N6123为80V。 - VCEsat(集电极-发射极饱和电压):在不同集电极电流下有不同的值。 - VBE(基极-发射极导通电压):在不同集电极电流下有不同的值。 - IcEx(集电极截止电流)和ICEO(集电极截止电流):在不同集电极电压和温度下有不同的值。 - IEBO(发射极截止电流):在5V的VEB和0集电极电流下为1mA。 - hFE(直流电流增益):在不同集电极电流和电压下有不同的值。 - fT(过渡频率):在1A集电极电流和4V集电极-发射极电压下为2.5MHz。

6. 封装信息: - 提供了TO-220封装的外形尺寸图,未标注的公差为±0.10mm。
2N6121 价格&库存

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