0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2N6122

2N6122

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6122 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6122 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to PNP type : 2N6124 ;2N6125 ;2N6126 APPLICATIONS ·For use in power amplifier and switching circuit applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2N6121 2N6122 2N6123 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N6121 VCBO Collector-base voltage 2N6122 2N6123 2N6121 VCEO Collector-emitter voltage 2N6122 2N6123 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 45 60 80 45 60 80 5 4 8 1 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6121 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6122 2N6123 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6121 ICEX Collector cut-off current 2N6122 2N6123 2N6121 ICEO Collector cut-off current 2N6122 2N6123 IEBO Emitter cut-off current 2N6121 IC=1.5A;IB=0.15A IC=4.0A;IB=1.0A IC=1.5A ; VCE=2V VCE=45V;VBE=1.5V TC=125 VCE=60V;VBE=1.5V TC=125 VCE=80V;VBE=1.5V TC=125 VCE=45V;IB=0 VCE=60V;IB=0 VCE=80V;IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ;IB=0 SYMBOL 2N6121 2N6122 2N6123 CONDITIONS MIN 45 60 80 TYP. MAX UNIT V 0.6 1.4 1.2 0.1 2.0 0.1 2.0 0.1 2.0 V V V mA 1.0 mA 1.0 mA 25 hFE-1 DC current gain 2N6122 2N6123 2N6121 10 hFE-2 DC current gain 2N6122 2N6123 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=4V IC=4A ; VCE=2V 7 2.5 IC=1.5A ; VCE=2V 20 100 80 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6121 2N6122 2N6123 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2N6122
1. 物料型号: - 2N6121 - 2N6122 - 2N6123

2. 器件简介: 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220封装,与PNP型(2N6124、2N6125、2N6126)互补使用,适用于功率放大器和开关电路应用。

3. 引脚分配: | PIN | 描述 | | --- | --- | | 1 | 基极(Base) | | 2 | 集电极;连接到安装底(Collector;connected to mounting base) | | 3 | 发射极(Emitter) |

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2N6121为45V,2N6122为60V,2N6123为80V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2N6121为45V,2N6122为60V,2N6123为80V。 - 发射极-基极电压(VEBO):5V。 - 集电极电流(Ic):4A。 - 集电极峰值电流(ICM):8A。 - 基极电流(IB):1A。 - 总功率耗散(PT):40W。 - 结温(T):150°C。 - 存储温度(Tstg):-65°C至150°C。

5. 功能详解: - 这些晶体管具有不同的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),例如2N6121在Ic=1.5A时为0.6V,在Ic=4.0A时为1.4V。 - 基极-发射极导通电压(VBE)在Ic=1.5A时为1.2V。 - 集电极截止电流(IcEx)和集电极截止电流(ICEO)在不同型号和条件下有所不同。 - 发射极截止电流(IEBO)为1.0mA。 - 直流电流增益(hFE)在不同条件下也有所不同,例如2N6121在Ic=1.5A时为20至100。

6. 应用信息: 这些晶体管适用于功率放大器和开关电路应用。

7. 封装信息: 封装为TO-220,具体尺寸如图2所示,未标注的公差为±0.10mm。
2N6122 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2N6122”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货