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2N6126

2N6126

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6126 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6126 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to PNP type : 2N6121 ;2N6122 ;2N6123 APPLICATIONS ·For use in power amplifier and switching circuit applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N6124 2N6125 2N6126 Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N6124 VCBO Collector-base voltage 2N6125 2N6126 2N6124 VCEO Collector-emitter voltage 2N6125 2N6126 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -45 -60 -80 -45 -60 -80 -5 -4 -8 -1 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6124 2N6125 2N6126 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6124 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6125 2N6126 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE(on) Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6124 ICEX Collector cut-off current 2N6125 2N6126 2N6124 ICEO Collector cut-off current 2N6125 2N6126 IEBO Emitter cut-off current 2N6124 25 hFE-1 DC current gain 2N6125 2N6126 2N6124 10 hFE-2 DC current gain 2N6125 2N6126 fT Transition frequency IC=-1A ; VCE=-4V IC=-4A ; VCE=-2V 7 2.5 MHz IC=-1.5A ; VCE=-2V 20 80 100 IC=-1.5A;IB=-0.15A IC=-4.0A;IB=-1.0A IC=-1.5A ; VCE=-2V VCE=-45V;VBE=1.5V TC=125 VCE=-60V;VBE=1.5V TC=125 VCE=-80V;VBE=1.5V TC=125 VCE=-45V;IB=0 VCE=-60V;IB=0 VCE=-80V;IB=0 VEB=-5V; IC=0 -1.0 mA -1.0 mA IC=-0.1A ;IB=0 CONDITIONS MIN -45 -60 -80 -0.6 -1.4 -1.2 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 V V V V TYP. MAX UNIT SYMBOL mA 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6124 2N6125 2N6126 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2N6126
物料型号: - 2N6124 - 2N6125 - 2N6126

器件简介: 这些是SavantIC Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管,采用TO-220封装,分别是2N6121、2N6122、2N6123的PNP互补型号。适用于功率放大器和开关电路应用。

引脚分配: - 1. Emitter(发射极) - 2. Mounting base(安装底座)/Collector(集电极);连接到 - 3. Base(基极)

参数特性: - 2N6124的集电极-基极电压VCBO为-45V,2N6125为-60V,2N6126为-80V。 - 2N6124的集电极-发射极电压VCEO为-45V,2N6125为-60V,2N6126为-80V。 - 发射极-基极电压VEBO为-5V。 - 集电极电流IC最大为-4A,峰值ICM为-8A。 - 基极电流IB最大为-1A。 - 总功耗PT为40W。 - 结温Tj最高为150°C。 - 存储温度Tstg范围为-65~150°C。

功能详解: - 维持电压VCEO(SUS):在特定条件下,2N6124为-45V,2N6125为-60V,2N6126为-80V。 - 饱和电压VCEsal:在不同集电极电流下,有不同的饱和电压值。 - 基极-发射极导通电压VBE(on):在特定条件下,典型值为-1.2V。 - 集电极截止电流IcEx和ICEO:在不同电压和温度条件下,有不同的截止电流值。 - 发射极截止电流IEBO:在VEB=-5V和Ic=0条件下,截止电流为-1.0mA。 - 直流电流增益hFE:在不同集电极电流和饱和电压条件下,有不同的增益值。 - 过渡频率fr:在Ic=-1A和VcE=-4V条件下,为2.5MHz。

应用信息: 这些晶体管适用于功率放大器和开关电路应用。

封装信息: 提供的图片显示了TO-220封装的外形尺寸,未标明的公差为±0.10mm。
2N6126 价格&库存

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