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2N6226

2N6226

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6226 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6226 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6226 2N6227 2N6228 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For high power audio;stepping motor and other linear applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N6226 VCBO Collector-base voltage 2N6227 2N6228 2N6226 VCEO Collector-emitter voltage 2N6227 2N6228 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -100 -120 -140 -100 -120 -140 -7 -6 150 150 -65~200 V A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.92 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6226 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6227 2N6228 VCEsat VBE ICEO ICBO IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N6226 hFE DC current gain 2N6227 2N6228 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-4V IC=-3A ; VCE=-2V IC=-4A; IB=-0.4A IC=-3A ; VCE=-2V IC=-0.2A ;IB=0 2N6226 2N6227 2N6228 SYMBOL CONDITIONS MIN -100 -120 -140 TYP. MAX UNIT V -1.2 -1.8 -5.0 -1.0 -0.1 25 20 15 1 100 80 60 V V mA mA mA VCE=Rated VCEO; IB=0 VCB=Rated VCBO; IE=0 VEB=-7V; IC=0 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6226 2N6227 2N6228 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2N6226
物料型号: - 2N6226 - 2N6227 - 2N6228

器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,采用TO-3封装。 - 特点包括低集电极饱和电压和优异的安全工作区。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-7V。 - 集电极电流(Ic):最大-6A。 - 总功率耗散(PD):在Tc=25℃时为150W。 - 结温(Tj):最大150℃。 - 存储温度(Tstg):-65℃至+200℃。

功能详解: - 这些晶体管适用于高保真音频、步进电机等线性应用。 - 具有集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))和集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 - 基极-发射极导通电压(VBE)约为-1.8V。 - 集电极截止电流(ICEO)和集电极基极截止电流(IcBO)分别为-5.0mA和-1.0mA。 - 发射极截止电流(EBO)为-0.1mA。 - DC电流增益(hFE):2N6226为25至100,2N6227为20至80,2N6228为15至60。 - 过渡频率(fT)为1MHz。

应用信息: - 适用于高功率音频、步进电机等线性应用。

封装信息: - 采用TO-3封装,具体尺寸见图2,未标注的公差为±0.1mm。
2N6226 价格&库存

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