2N6282

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N6282 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2N6285/6286/6287 ·High DC current gain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter DESCRIPTION 2N6282 2N6283 2N6284 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N6282 VCBO Collector-base voltage 2N6283 2N6284 2N6282 VCEO Collector-emitter voltage 2N6283 2N6284 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 60 80 100 60 80 100 5 20 40 0.5 160 200 -65~200 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.09 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6282 2N6283 2N6284 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6282 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6283 2N6284 VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6282 ICEO Collector cut-off current 2N6283 2N6284 2N6282 ICEX Collector cut-off current 2N6283 2N6284 IEBO hFE-1 hFE-2 COB Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance IC=10A; IB=40mA IC=20A ;IB=200mA IC=20A ;IB=200mA IC=10A ; VCE=3V VCE=30V; IB=0 VCE=40V; IB=0 VCE=50V; IB=0 VCE=60V; VBE=-1.5V TC=150 VCE=80V; VBE=-1.5V TC=150 VCE=100V; VBE=-1.5V TC=150 VEB=5V; IC=0 IC=10A ; VCE=3V IC=20A ; VCE=3V IE=0; VCB=10V;f=1MHz 750 100 400 pF 0.5 5.0 0.5 5.0 0.5 5.0 2.0 18000 mA mA 1.0 mA IC=0.2A ;IB=0 CONDITIONS MIN 60 80 100 2.0 3.0 4.0 2.8 V V V V V TYP. MAX UNIT SYMBOL 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6282 2N6283 2N6284 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

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2N6282

1. 物料型号： - 型号包括2N6282、2N6283和2N6284，这些是硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-3封装，是2N6285/6286/6287的补充型号，具有高直流电流增益，适用于达林顿应用、通用放大器和低频开关应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚为基极（Base），2号引脚为发射极（Emitter），3号引脚为集电极（Collector）。

4. 参数特性： - 包括绝对最大额定值和热特性参数，例如集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（IC）、集电极峰值电流（ICM）、基极电流（IB）、总功率耗散（PD）、结温（Tj）和存储温度（Tstg）等。 - 热阻（Rth j-c）为1.09°C/W。

5. 功能详解： - 包括维持电压（VCEO(SUS)）、饱和电压（VCEsat-1和VCEsat-2）、饱和基极-发射极电压（VBEsat）、基极-发射极开启电压（VBE）、集电极截止电流（ICEO和ICEx）和发射极截止电流（IEBO）等。 - 直流电流增益（hFE-1和hFE-2）以及输出电容（COB）。

6. 应用信息： - 适用于通用放大器和低频开关应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-3封装的外形尺寸图，未标明的公差为±0.10mm。

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