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2N6383

2N6383

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6383 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6383 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2N6648/6649/6650 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·Designed for low and medium frequency power application such as power switching audio amplifer ,hammer drivers and shunt and series regulators PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6383 2N6384 2N6385 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N6383 VCBO Collector-base voltage 2N6384 2N6385 2N6383 VCEO Collector-emitter voltage 2N6384 2N6385 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 40 60 80 40 60 80 5 10 15 0.25 100 200 -65~200 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.75 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6383 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6384 2N6385 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6383 ICEO Collector cut-off current 2N6384 2N6385 2N6383 ICEX Collector cut-off current 2N6384 2N6385 IEBO hFE-1 hFE-2 COB Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance IC=5A; IB=10mA IC=10A ;IB=100mA IC=5A ; VCE=3V IC=10A ; VCE=3V VCE=40V; IB=0 VCE=60V; IB=0 VCE=80V; IB=0 VCE=40V; VBE=-1.5V TC=125 VCE=60V; VBE=-1.5V TC=125 VCE=80V; VBE=-1.5V TC=125 VEB=5V; IC=0 IC=5A ; VCE=3V IC=10A ; VCE=3V IE=0; VCB=10V;f=1MHz IC=0.2A ;IB=0 CONDITIONS 2N6383 2N6384 2N6385 SYMBOL MIN 40 60 80 TYP. MAX UNIT V 2.0 3.0 2.8 4.5 V V V V 1.0 mA 0.3 3.0 0.3 3.0 0.3 3.0 10 1000 100 200 pF 20000 mA mA 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6383 2N6384 2N6385 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3
2N6383
1. 物料型号: - 型号包括2N6383、2N6384和2N6385。

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-3封装,是2N6648/6649/6650型号的补充,具有达林顿结构和高直流电流增益。

3. 引脚分配: - 1号引脚为基极(Base), - 2号引脚为发射极(Emitter), - 3号引脚为集电极(Collector)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括: - 集电极-基极电压(VCBO):2N6383为40V,2N6384为60V,2N6385为80V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):开基时2N6383为40V,2N6384为60V,2N6385为80V。 - 发射极-基极电压(VEBO):开集电极时为5V。 - 集电极电流(Ic):10A。 - 集电极峰值电流(IcM):15A。 - 基极电流(IB):0.25A。 - 总功率耗散(PD):100W,结温(Tj):200°C,存储温度(Tstg):-65°C至200°C。 - 热特性包括: - 结到外壳的热阻(Rthj-c):1.75°C/W。

5. 功能详解: - 这些晶体管设计用于低频和中频功率应用,如功率开关、音频放大器、锤击驱动器以及分流和串联调节器。

6. 应用信息: - 适用于低频和中频功率应用,如功率开关、音频放大器、锤击驱动器和分流及串联调节器。

7. 封装信息: - 封装为TO-3,PDF中提供了简化的外形图和符号。
2N6383 价格&库存

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