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2N6468

2N6468

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6468 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6468 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6467 2N6468 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Complement to type 2N6465 2N6466 APPLICATIONS ·For use in audio amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N6467 VCBO Collector-base voltage 2N6468 2N6467 VCEO Collector-emitter voltage 2N6468 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base -120 -5 -4 40 150 -65~150 V A W Open emitter -130 -100 V CONDITIONS VALUE -110 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 2.5 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS 2N6467 2N6468 SYMBOL MIN TYP. MAX UNIT 2N6467 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6468 IC=-50mA ;IB=0 -100 V -120 VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage IC=-1.5A; IB=-0.15A IC=-1.5A ; VCE=-4V -1.2 V Base-emitter on voltage -1.5 V 2N6467 ICBO Collector cut-off current 2N6468 VCB=-110V; IE=0 -10 VCB=-130V; IE=0 VCE= -100V,IB=0 -100 µA VCE= -120V,IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1.5A ; VCE=-4V IC=-0.5A ; VCE=-10V 15 -10 µA µA 2N6467 ICEO Collector cut-off current 2N6468 IEBO hFE fT Emitter cut-off current DC current gain 150 Transition frequency 5 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6467 2N6468 Fig.2 outline dimensions 3
2N6468
1. 物料型号: - 型号为2N6467和2N6468,是硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-66封装,具有出色的安全工作区域,是2N6465和2N6466型号的补充。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 2N6467和2N6468的集-基电压(VCBO)分别为-110V和-130V。 - 2N6467和2N6468的集-射电压(VCEO)分别为-100V和-120V。 - 发射-基电压(VEBO)为-5V。 - 集电极电流(Ic)为-4A。 - 总功率耗散(P0)在Tc=25℃时为40W。 - 结温(TJ)为150℃。 - 存储温度(Tstg)范围为-65℃至150℃。 - 热特性: - 结到外壳的热阻(Rinj-c)为2.5℃/W。

5. 功能详解: - 这些晶体管在Tj=25℃(除非另有说明)时的特性如下: - 维持电压(VCEO(SUS))2N6467为-100V,2N6468为-120V。 - 饱和电压(VCEsat)在Ic=-1.5A,IB=-0.15A时为-1.2V。 - 基-射开启电压(VBE)在Ic=-1.5A,VcE=-4V时为-1.5V。 - 集-基截止电流(ICBO)2N6467为-10A,2N6468为-100uA。 - 集-射截止电流(ICEO)2N6467为-100uA,2N6468为-10uA。 - 发射-基截止电流(IEBO)为-10uA。 - 直流电流增益(hFE)在Ic=-1.5A,VcE=-4V时为15至150。 - 转换频率(fr)在Ic=-0.5A,V=-10V时为5MHz。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于音频放大器应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-66,具体尺寸见图2。
2N6468 价格&库存

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