2N6478

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N6478 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·High voltage ratings ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·Series and shunt regulators ·High-fidelity amplifiers ·Power switching circuits ·Solenoid drivers PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2N6477 2N6478 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO PARAMETER 2N6477 Collector-base voltage 2N6478 2N6477 VCEO VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Collector-emitter voltage 2N6478 Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base 140 5 2.5 4 1 50 150 -65~150 V A A A W Open emitter 160 120 V CONDITIONS VALUE 140 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 2.5 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6477 IC=0.1A ;IB=0 2N6478 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6477 2N6478 2N6477 ICEO Collector cut-off current 2N6478 IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency VCE=100V;IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=1.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; VCE=4V IC=1.0A;IB=0.1A IC=2.5A;IB=0.5A IC=1.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V VCE=130V VCE=120V; TC=150 VCE=150V VCE=140V; TC=150 VCE=80V;IB=0 CONDITIONS 2N6477 2N6478 SYMBOL MIN 120 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage V 140 1.0 2.0 1.8 3.0 2.0 10 2.0 10 V V V V ICEX Collector cut-off current VBE=-1.5V mA 2.0 mA 2.0 25 5 250 0.2 150 mA pF MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6477 2N6478 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N6478

1. 物料型号： - 型号为2N6477和2N6478，是SavantIC Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-220封装，具有低集电极饱和电压、高电压等级和出色的安全工作区。

3. 引脚分配： - 1号引脚为基极（Base）； - 2号引脚为集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）； - 3号引脚为发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：2N6477的集电极-基极电压为140V，2N6478为160V；2N6477的集电极-发射极电压为120V，2N6478为140V；发射极-基极电压为5V；集电极电流为2.5A，峰值集电极电流为4A；基极电流为1A；总功率耗散为50W；结温为150°C；存储温度范围为-65至150°C。 - 热特性包括：结到外壳的热阻为2.5°C/W。

5. 功能详解： - 包括集电极-发射极维持电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、输出电容和转换频率等参数的最小值、典型值和最大值。

6. 应用信息： - 应用领域包括串联和并联调节器、高保真放大器、功率开关电路和电磁线圈驱动器。

7. 封装信息： - 提供了TO-220C的简化外形图和符号，以及未标明公差的外形尺寸图。

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