2N6490

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N6490 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

数据手册：

下载2N6490.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2N6490 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Excellent safe operating area ·Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS ·Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N6489 2N6490 2N6491 Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N6489 VCBO Collector-base voltage 2N6490 2N6491 2N6489 VCEO Collector-emitter voltage 2N6490 2N6491 VEBO IC IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -50 -70 -90 -40 -60 -80 -5 -15 -5 75 150 -65~150 V A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.67 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6489 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6490 2N6491 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6489 ICEX Collector cut-off current VBE=-1.5V 2N6490 2N6491 2N6489 ICEO Collector cut-off current 2N6490 2N6491 IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain IC=-5A;IB=-0.5A IC=-15A;IB=-5A IC=-5A ; VCE=-4V IC=-15A ; VCE=-4V VCE=-45V; VCE=-40V;TC=150 VCE=-65V; VCE=-60V;TC=150 VCE=-85V; VCE=-80V;TC=150 VCE=-20V;IB=0 VCE=-30V;IB=0 VCE=-40V;IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-5A ; VCE=-4V IC=-15A ; VCE=-4V IC=-0.2A ;IB=0 2N6489 2N6490 2N6491 SYMBOL CONDITIONS MIN -40 -60 -80 TYP. MAX UNIT V -1.3 -3.5 -1.3 -3.5 -0.5 -5.0 -0.5 -5.0 -0.5 -5.0 V V V V mA -1.0 mA -1.0 20 5 150 mA 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6489 2N6490 2N6491 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

下载 PDF

2N6490

1. 物料型号： - 2N6489 - 2N6490 - 2N6491

2. 器件简介： - 这些是硅PNP功率晶体管，采用TO-220封装，具有优秀的安全工作区，分别是2N6486和2N6487的补充型号。

3. 引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：基极（Base）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：2N6489为-50V，2N6490为-70V，2N6491为-90V - VCEO（集电极-发射极电压）：2N6489为-40V，2N6490为-60V，2N6491为-80V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - Ic（集电极电流）：-15A - Ib（基极电流）：-5A - PT（总功耗）：75W - Tj（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-65°C至150°C

5. 功能详解： - 这些晶体管适用于功率放大和中速开关应用。

6. 应用信息： - 适用于功率放大和中速开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220，具体尺寸和公差见图2（未提供具体尺寸图，但提到公差为±0.10mm）。

2N6490 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2N6490”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2N6490

相关技术文章