2N6497

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N6497 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6497 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 350 250 6 5 10 2 80 150 -65~150 UNIT V V V A A A W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case VALUE 1.56 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=25mA ;IB=0 IC=2.5A; IB=0.5A IC=5A ;IB=2A IC=2.5A; IB=0.5A IC=5A ;IB=2A VCE=250V;VBE=-1.5V VCE=175V;VBE=-1.5V;TC=100 VEB=6V; IC=0 IC=2.5A ; VCE=10V IC=5A ; VCE=10V IC=250mA ; VCE=10V;f=1MHz 10 3 5.0 MIN 250 2N6497 SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat-1 VBEsat-2 ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 fT TYP. MAX UNIT V 1.0 5.0 1.5 2.5 1.0 10 1.0 75 V V V V mA mA Switching times tr tstg tf Rise time Storage time Fall time IC=2.5A, IB1=-IB2=0.5A VCC=125V 1.0 2.5 1.0 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6497 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N6497

物料型号： - 型号：2N6497

器件简介： - 2N6497是一款由SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors，采用TO-220C封装。该器件设计用于高电压逆变器、开关稳压器和线路操作放大器应用。

引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底座） - PIN 3: Emitter（发射极）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：350V - VCEO（集电极-发射极电压）：250V - VEBO（发射极-基极电压）：6V - Ic（集电极电流（DC））：5A - ICM（集电极峰值电流）：10A - Is（基极电流）：2A - PD（总功率耗散）：80W - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-65~150°C

功能详解： - 2N6497在Tj=25°C时的特性参数包括VCEO(SUS)、VCEsat、VBEsat、IcEx、IEBO、hFE和fT等，这些参数描述了器件在不同工作条件下的电气特性。

应用信息： - 2N6497适用于高电压逆变器、开关稳压器和线路操作放大器应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸图可参考PDF文档中的Fig.2 Outline dimensions。

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