1. 物料型号：2N6511
2. 器件简介：
- 2N6511是一款硅NPN功率晶体管。
- 具有TO-3封装。
- 具有高击穿电压和低集电极饱和电压。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：发射极（Emitter）
- 引脚3：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：400V（开路发射极）
- 集电极-发射极电压（VCEO）：250V（开路基极）
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V（开路集电极）
- 集电极电流（Ic）：7A
- 集电极峰值电流（ICM）：14A
- 总功耗（PD）：在25°C时为120W
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-65°C至200°C
5. 功能详解：
- 适用于开关电源应用和其他感性开关电路。
- 维持电压（VCEO(SUS)）：在Ic=0.1A，Ib=0时为250V。
- 饱和电压（VCEsat）：在Ic=3A，Ib=0.4A时为1.0V；在Ic=5A，Ib=1A时也为1.0V。
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：在Ic=5A，Ib=1A时为1.5V。
- 集电极截止电流（ICES）：在Vce=400V，VBE(o)=-1.5V，Tc=100°C时为0.1mA至1.5mA。
- 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=7V，Ic=0时为0.1mA。
- 直流电流增益（hFE）：在Ic=4A，Vce=3V时为10至50。
- 转换频率（fr）：在Ic=0.5A，Vce=10V时为3MHz。
6. 应用信息：
- 2N6511适用于开关电源应用和其他感性开关电路。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2（未提供具体尺寸数值，但提到未标注公差为±0.1mm）。
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