1. 物料型号：2N6569
2. 器件简介：
- 2N6569是一种硅NPN功率晶体管。
- 采用TO-3封装。
- 是2N6594型号的补充。
- 具有广泛的安全操作区域。
- 设计用于低电压放大器功率开关应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：45V，开路发射极。
- 集-发电压（VCEO）：40V，开路基极。
- 发-基电压（VEBO）：5V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：12A。
- 集电极峰值电流（ICM）：24A。
- 基极电流（Is）：5A。
- 发射极电流（IE）：17A。
- 发射极峰值电流（IEM）：34A。
- 集电极功率耗散（Pc）：100W，结温Tc=25°C。
- 结温（Tj）：200°C。
- 存储温度（Tstg）：-65°C至200°C。
5. 功能详解：
- 维持电压VCEO(SUS)：40V，集电极-发射极电压，集电极电流IC=0.1A，基极电流IB=0。
- 饱和电压VCEsat：1.5V（IC=4A, IB=0.4A）和4.0V（IC=12A, IB=2.4A）。
- 基-发射饱和电压VBEsat：2.0V，集电极电流IC=4A，基极电流IB=0.4A。
- 集电极截止电流ICEO：1.0mA，集电极-发射极电压VCE=40V，基极电流IB=0。
- 发射极截止电流IEBO：5.0mA，基极电流IB=0，发射极-基极电压VEB=5V。
- 直流电流增益hFE：15至200（IC=4A, VCE=3V）和5至100（IC=12A, VCE=4V）。
- 过渡频率fT：1.5至20MHz，集电极电流IC=1.0A，集电极-发射极电压VCE=4V，频率f=0.5MHz。
- 开关时间：延迟时间td为0.4µs，上升时间tr为1.5µs，存储时间tstg为5.0µs，下降时间tf为1.5µs。
6. 应用信息：
- 设计用于低电压放大器功率开关应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.1mm。
