2N6577

2N6577

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6577 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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2N6577 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·Power switching ·Audio amplifiers ·Hammer drivers ·Series and shunt regulators PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6576 2N6577 2N6578 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N6576 VCBO Collector-base voltage 2N6577 2N6578 2N6576 VCEO Collector-emitter voltage 2N6577 2N6578 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 60 90 120 60 90 120 7 15 30 0.25 120 200 -65~200 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6576 2N6577 2N6578 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6576 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6577 2N6578 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE sat-1 VBE sat-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2N6576 ICEO Collector cut-off current 2N6577 2N6578 2N6576 ICBO Collector cut-off current 2N6577 2N6578 IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 hFE-4 VF Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain DC current gain Diode forward voltage IC=10A; IB=100mA IC=15A ;IB=150mA IC=10A; IB=100mA IC=15A ;IB=150mA VCE=60V; IB=0 VCE=90V; IB=0 VCE=120V; IB=0 VCB=60V; IE=0 VCB=90V; IE=0 VCB=120V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=0.4A ; VCE=3V IC=4A ; VCE=3V IC=10A ; VCE=3V IC=15A ; VCE=4V IF=15A 200 2000 500 100 4.5 A 20000 5000 7.5 mA 0.5 mA 1.0 mA IC=0.2A ;IB=0 CONDITIONS MIN 60 90 120 2.8 4.0 3.5 4.5 V V V V V TYP. MAX UNIT SYMBOL THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.46 UNIT /W 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6576 2N6577 2N6578 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3
2N6577
1. 物料型号: - 2N6576、2N6577、2N6578

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,具有TO-3封装,达林顿结构,高直流电流增益。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):2N6576为60V,2N6577为90V,2N6578为120V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2N6576在开路发射极时为60V,2N6577为90V,2N6578为120V。 - VEBO(发射极-基极电压):开路集电极时为7V。 - Ic(集电极电流):15A。 - ICM(集电极峰值电流):30A。 - Ib(基极电流):0.25A。 - Pp(总功率耗散):在Tc=25°C时为120W。 - Tj(结温):200°C。 - Tstg(储存温度):-65°C至200°C。

5. 功能详解: - 这些晶体管在工作时,具有不同的饱和电压和基极-发射极饱和电压,具体数值依据不同的工作条件(如集电极电流Ic和基极电流Ib)而变化。

6. 应用信息: - 适用于功率开关、音频放大器、锤式驱动器、串联和并联调节器。

7. 封装信息: - 提供了TO-3封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.10mm。
2N6577 价格&库存

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