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2N6674

2N6674

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6674 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6674 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High voltage,high speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·Inverters ·Solenoid and relay drivers ·Deflection circuits PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6674 2N6675 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N6674 VCBO Collector-base voltage 2N6675 2N6674 VCEO Collector-emitter voltage 2N6675 VEBO IC IB Emitter-base voltage Collector current Base current Ta=25 PT Total Power Dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 175 200 -65~200 Open collector Open base 400 7 15 5 6 W V A A Open emitter 650 300 V CONDITIONS VALUE 450 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.0 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6674 2N6675 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N6674 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6675 VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2N6674 ICBO Collector cut-off current 2N6675 IEBO hFE-1 hFE-2 fT Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency VCB=650V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=1A ; VCE=3V IC=10A ; VCE=2V IC=0.5A ; VCE=10V;f=1MHz 15 8 15 1.0 40 20 MHz mA IC=10A; IB=2A IC=15A; IB=5A IC=10A; IB=2A VCB=450V; IE=0 0.1 mA IC=0.2A ;IB=0 400 1.0 5.0 1.5 V V V CONDITIONS MIN 300 V TYP. MAX UNIT SYMBOL 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6674 2N6675 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3
2N6674
1. 物料型号: - 型号为2N6674和2N6675,是SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,具有TO-3封装,适用于高电压、高速应用。

3. 引脚分配: - PIN 1: Base(基极) - PIN 2: Emitter(发射极) - PIN 3: Collector(集电极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):2N6674为450V,2N6675为650V - VCEO(集电极-发射极电压):2N6674为300V,2N6675为400V - VEBO(发射极-基极电压):7V - Ic(集电极电流):15A - Ib(基极电流):5A - PT(总功率耗散):6W(Ta=25°C),175W(Tc=25°C) - Tj(结温):200°C - Tstg(存储温度):-65°C至200°C

5. 功能详解: - 这些晶体管具有高电压、高速度的特性,适用于开关调节器、逆变器、电磁铁和继电器驱动器、偏转电路等应用。

6. 应用信息: - 适用于开关调节器、逆变器、电磁铁和继电器驱动器、偏转电路。

7. 封装信息: - 封装为TO-3,具体尺寸见图2,未标注的公差为±0.10mm。
2N6674 价格&库存

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