2N6687

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N6687 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6687 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Fast switching speed ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For power supplies and other high-voltage switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 280 180 8 25 50 8 200 200 -65~200 UNIT V V V A A A W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.875 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2N6687 SYMBOL MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A ;IB=0 180 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=25A; IB=2.5A 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=25A; IB=2.5A 1.8 V ICEV Collector cut-off current VCE=280V; VBE=-1.5V 50 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=8V; IC=0 100 µA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=2V 30 hFE-2 DC current gain IC=10A ; VCE=2V 25 100 hFE-3 DC current gain IC=25A ; VCE=2V 15 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=10V 20 100 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6687 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2N6687

物料型号： - 型号为2N6687。

器件简介： - 2N6687是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装。 - 特点包括快速开关速度和低集电极饱和电压。 - 适用于电源和其他高压开关应用。

引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：280V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：180V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：8V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：25A。 - 集电极峰值电流（ICM）：50A。 - 基极电流（1B）：8A。 - 集电极功耗（Pc）：200W，结温Tc=25°C。 - 结温（Tj）：200°C。 - 存储温度（Tstg）：-65°C至200°C。

功能详解： - 维持电压（VCEO(SUS)）：180V，Ic=0.2A，Ib=0。 - 饱和电压（VCEsat）：1.5V，Ic=25A，Ib=2.5A。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：1.8V，Ic=25A，Ib=2.5A。 - 集电极截止电流（IcEV）：50uA，VcE=280V，VBE=-1.5V。 - 发射极截止电流（IEBO）：100uA，VEB=8V，Ic=0。 - 直流电流增益（hFE-1）：30，Ic=1A，VcE=2V。 - 直流电流增益（hFE-2）：25，Ic=10A，VcE=2V。 - 直流电流增益（hFE-3）：15，Ic=25A，VcE=2V。 - 转换频率（fT）：20MHz，Ic=1A，VcE=10V。

应用信息： - 适用于电源和其他高压开关应用。

封装信息： - 封装形式为TO-3，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。

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