2SA1043

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SA1043 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1043 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High transition frequency ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·Power switching applications ·High frequency power amplifier ·Switching regulators ·DC-DC converters PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -120 -120 -7 -30 150 175 -55~200 UNIT V V V A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1043 SYMBOL TYP. MAX UNIT V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE COB fT Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA ;IB=0 IC=-0.1mA ;IE=0 IE=-0.1mA ;IC=0 IC=-15A; IB=-1.5A IC=-15A; IB=-1.5A VCB=-120V; IE=0 VEB=-7V; IC=0 IC=-3A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1.0MHz IC=-2A ; VCE=-10V -120 V Collector-base breakdown voltage -120 V Emitter-base breakdown voltage -7 V Collector-emitter saturation voltage -1.5 V Base-emitter saturation voltage -2.0 V Collector cut-off current -50 µA Emitter cut-off current -50 µA DC current gain 35 200 Output capacitance 600 pF Transition frequency 60 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1043 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA1043

1. 物料型号：2SA1043，是一款硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 封装类型：TO-3封装。 - 特点：高转换频率和优异的安全工作区域。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：发射极（Emitter）。 - 3号引脚：集电极（Collector）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 集-基电压（VCBO）：-120V，开路发射极。 - 集-发电压（VCEO）：-120V，开路基极。 - 发-基电压（VEBO）：-7V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：-30A。 - 集电极功耗（Pc）：150W，结温Tc=25℃。 - 结温（Tj）：175℃。 - 存储温度（Tstg）：-55至200℃。

5. 功能详解： - 特性参数（Tj=25℃，除非另有说明）： - 集-发击穿电压（V(BR)CEO）：-120V，集电极电流Ic=-10mA；基极电流Ib=0。 - 集-基击穿电压（V(BR)CBO）：-120V，集电极电流Ic=-0.1mA；发射极电流Ie=0。 - 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：-7V，发射极电流Ie=-0.1mA；集电极电流Ic=0。 - 集-发饱和电压（VCEsat）：-1.5V，集电极电流Ic=-15A；基极电流Ib=-1.5A。 - 基-发饱和电压（VBEsat）：-2.0V，集电极电流Ic=-15A；基极电流Ib=-1.5A。 - 集电极截止电流（ICBO）：-50uA，集-基电压VcB=-120V；发射极电流Ie=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：-50uA，发-基电压VEB=-7V；集电极电流Ic=0。 - 直流电流增益（hFE）：35至200，集电极电流Ic=-3A；集-发电压VcE=-5V。 - 输出电容（COB）：600pF，发射极电流Ie=0；集-基电压VcB=-10V；频率f=1.0MHz。 - 转换频率（fr）：60MHz，集电极电流Ic=-2A；集-发电压VcE=-10V。

6. 应用信息： - 适用于功率开关应用、高频功率放大器、开关稳压器、DC-DC转换器等。

7. 封装信息： - 图2显示了TO-3封装的外形尺寸（未标明的公差：±0.1mm）。

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