2SA1067

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SA1067 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1067 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·High transition frequency APPLICATIONS ·For audio and general purpose amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -120 -120 -5 -10 -14 100 150 -65~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1067 SYMBOL TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ;IB=0 -120 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=-0.5A -2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=-0.5A -2.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-120V; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -0.1 mA hFE DC current gain IC=-3A ; VCE=-4V 60 150 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-10V 50 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1067 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA1067

1. 物料型号：2SA1067，是一款硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-3封装。 - 具有低集电极饱和电压。 - 高转换频率。 - 适用于音频和通用放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：发射极（Emitter）。 - 3号引脚：集电极（Collector）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-120V，开发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-120V，开基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开集电极。 - 集电极电流（Ic）：-10A。 - 集电极峰值电流（ICM）：-14A。 - 集电极功耗（Pc）：100W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C。

5. 功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-120V，Ic=-25mA;Ib=0。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：-2.0V，Ic=-5A;Ib=-0.5A。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-2.5V，Ic=-5A;Ib=-0.5A。 - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，VcB=-120V;Ie=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，VEB=-5V;Ic=0。 - 直流电流增益（hFE）：60至150，Ic=-3A;Vce=-4V。 - 转换频率（fr）：50MHz，Ic=-0.5A;Vce=-10V。

6. 应用信息：适用于音频和通用放大器应用。

7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。

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