2SA1147

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SA1147 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1147 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipations ·Complement to type 2SC2707 APPLICATIONS ·For power switching amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -180 -180 -6 -15 -5 150 150 -65~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1147 SYMBOL TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ;IB=0 -180 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA ;IE=0 -180 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ;IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-10A; IB=-1A -3.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-180V; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -0.1 mA hFE DC current gain IC=-5A ; VCE=-4V 30 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-12V 60 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1147 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA1147

1. 物料型号：2SA1147，这是一个PNP型硅功率晶体管。

2. 器件简介： - 封装类型：TO-3。 - 特点：高功率耗散，是2SC2707型号的补充。 - 应用：适用于功率开关放大器和通用应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：发射极（Emitter W）。 - 3号引脚：集电极（Collector）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-180V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-180V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-6V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：-15A。 - 基极电流（lB）：-5A。 - 集电极功率耗散（Pc）：150W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C。

5. 功能详解： - 击穿电压（V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO）：分别为-180V、-180V和-5V。 - 饱和电压（VCEsat）：-3.0V，集电极电流为-10A，基极电流为-1A。 - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，集电极-发射极电压为-180V，发射极电流为0。 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，发射极-基极电压为-6V，集电极电流为0。 - 直流电流增益（hFE）：30，集电极电流为-5A，集电极-发射极电压为-4V。 - 转换频率（fr）：60MHz，集电极电流为-0.5A，集电极-发射极电压为-12V。

6. 应用信息：适用于功率开关放大器和通用应用。

7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.1mm。

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