物料型号：2SA1185
器件简介：
- 2SA1185是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-3PN封装。
- 它具有高电流能力和低集电极饱和电压的特点。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-50V，开路发射极
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-50V，开路基极
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路发射极
- 集电极电流（Ic）：-7A
- 集电极峰值电流（IcM）：-15A
- 基极峰值电流（IBM）：-5A
- 集电极功耗（Pc）：60W，Tc=25°C
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
功能详解：
- 该晶体管的主要参数包括集电极发射极击穿电压（V(BR)CEO）、集电极发射极饱和电压（VCEsat）、基极发射极导通电压（VBE）、集电极截止电流（ICBO）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE-1和hFE-2）、输出电容（Cob）和转换频率（fr）。
应用信息：
- 2SA1185适用于高功率放大器应用。
封装信息：
- 该晶体管采用TO-3PN封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.1mm。
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