2SA1635

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SA1635 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

数据手册：

下载2SA1635.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SA1635 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1635 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SC4008 APPLICATIONS ·For medium speed,electrical supply and DC-DC converter applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -80 -80 -5 -4 30 150 -55~150 UNIT V V V A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-1mA ,IB=0 IE=-0.1mA ,IC=0 IC=-2A; IB=-0.2A IC=-2A; IB=-0.2A VCB=-80V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-4V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-12V 60 80 12 MIN -80 -5 TYP. 2SA1635 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBE sat ICBO IEBO hFE COB fT MAX UNIT V V -1.5 -1.5 -10 -10 320 V V µA µA pF MHz hFE Classifications D 60-120 E 100-200 F 160-320 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1635 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

下载 PDF

2SA1635

1. 物料型号：2SA1635，是一款硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-220Fa封装。 - 具有低集电极饱和电压。 - 与2SC4008型号相补。

3. 引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：基极（Base）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-80V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：-4A。 - 集电极功率耗散（Pc）：在25°C时为30W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-80V，在Ic=-1mA，Ib=0条件下。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-5V，在Ie=-0.1mA，Ic=0条件下。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：-1.5V，在Ic=-2A，Ib=-0.2A条件下。 - 基极-发射极饱和电压（VBE sat）：-1.5V，在Ic=-2A，Ib=-0.2A条件下。 - 集电极截止电流（IcBO）：-10A。 - 发射极截止电流（IEBO）：-10A，在Veb=-5V，Ic=0条件下。 - 直流电流增益（hFE）：60至320，Ic=-1A，Vce=-4V条件下。 - 输出电容（COB）：80pF，在Ic=0，Vc=-10V，f=1MHz条件下。 - 转换频率（fr）：12MHz，在Ic=-0.5A，Vce=-12V条件下。

6. 应用信息： - 适用于中等速度、电源和DC-DC转换器应用。

7. 封装信息：TO-220Fa封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.15mm。

2SA1635 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SA1635”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SA1635

相关技术文章