2SA1659A

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SA1659A - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1659 2SA1659A DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SC4370/4370A ·High transition frequency fT APPLICATIONS ·High voltage applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2SA1659 VCBO Collector-base voltage 2SA1659A 2SA1659 VCEO Collector-emitter voltage 2SA1659A VEBO IC IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base -180 -5 -1.5 -0.15 20 150 -55~150 V A A W Open emitter -180 -160 V CONDITIONS VALUE -160 V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2SA1659 IC=10mA ; IB=0 2SA1659A IC=-0.5A;IB=-50mA IC=-0.5A ; VCE=-5V VCB=-160V;IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-5V IC=-0.1A ; VCE=-10V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz CONDITIONS 2SA1659 2SA1659A SYMBOL MIN -160 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage V -180 -1.5 -1.0 -1 -1 70 100 30 240 MHz pF V V µA µA VCEsat VBE ICBO IEBO hFE fT COB Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance hFE classifications O 70-140 Y 120-240 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1659 2SA1659A Fig.2 Outline dimensions 3

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2SA1659A

1. 物料型号： - 型号为2SA1659和2SA1659A。

2. 器件简介： - 2SA1659和2SA1659A是硅PNP功率晶体管，采用TO-220F封装，是2SC4370/4370A型号的补充，具有高转换频率fT。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极（Collector） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：2SA1659为-160V，2SA1659A为-180V - 集电极-发射极电压（VCEO）：2SA1659为-160V，2SA1659A为-180V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-1.5A - 基极电流（IB）：-0.15A - 集电极耗散功率（Pc）：20W（在Tc=25°C时） - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55至150°C

5. 功能详解： - 击穿电压（V(BR)CEO）：2SA1659和2SA1659A在IC=10mA，IB=0条件下分别为-160V和-180V。 - 饱和压降（VCEsat）：在IC=-0.5A，IB=-50mA条件下为-1.5V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：-1.0V。 - 集电极截止电流（ICBO）：在VCB=-160V，IE=0条件下为-1µA。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-5V，IC=0条件下为-1µA。 - 直流电流增益（hFE）：在IC=-0.1A，VCE=-5V条件下，范围为70至240。 - 转换频率（fT）：在IC=-0.1A，VCE=-10V条件下为100MHz。 - 输出电容（COB）：在IE=0，VCB=-10V，f=1MHz条件下为30pF。

6. 应用信息： - 适用于高电压应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220F，具体尺寸如图2所示。

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