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2SA1940

2SA1940

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1940 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA1940 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1940 DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5197 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -120 -120 -5 -8 -0.8 80 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=-50mA; IB=0 IC=-6 A;IB=-0.6A IC=-4A ; VCE=-5V VCB=-120V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IC=-4A ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz 55 35 MIN -120 2SA1940 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB TYP. MAX UNIT V -2.0 -1.5 -5 -5 160 V V µA µA 30 260 MHz pF hFE-1 classifications R 55-110 O 80-160 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1940 Fig.2 Outline dimensions 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1940 4
2SA1940
1. 物料型号:2SA1940

2. 器件简介: - 2SA1940是一种硅PNP功率晶体管。 - 采用TO-3P(I)封装。 - 适用于功率放大应用,推荐用于55W高保真音频频率放大器输出阶段。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:安装底(mounting base),与集电极(Collector)相连 - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):开路发射极时-120V - 集电极-发射极电压(VCEO):开路基极时-120V - 发射极-基极电压(VEBO):开路集电极时-5V - 集电极电流(IC):-8A - 基极电流(IB):-0.8A - 集电极功耗(PC):在TC时80W - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

5. 功能详解: - 特性表中详细列出了不同工作条件下的最小值、典型值和最大值,包括集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极电压(VBE)、集电极截止电流(ICBO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)以及过渡频率(fT)等。

6. 应用信息: - 适用于功率放大应用,特别推荐用于55W高保真音频频率放大器的输出阶段。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3P(I),文档中提供了简化外形图和符号(Fig.1)以及外形尺寸图(Fig.2)。
2SA1940 价格&库存

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