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2SA656

2SA656

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA656 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA656 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA656 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Wide area of safe operation ·Complement to type 2SC519 APPLICATIONS ·For audio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -130 -130 -5 -7 50 150 -55~150 UNIT V V V A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-25mA ;IB=0 IC=-1mA ;IE=0 IE=-1mA ;IC=0 IC=-5A; IB=-1A IC=-5A; IB=-1A VCB=-130V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz IC=-1A ; VCE=-10V 30 150 5 MIN -130 -130 -5 TYP. 2SA656 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE COB fT MAX UNIT V V V -2.0 -2.5 -0.1 -0.1 300 V V mA mA pF MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA656 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SA656
1. 物料型号:2SA656,这是一个硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介: - 采用TO-3封装。 - 拥有广泛的安全工作区域。 - 适用于音频频率和功率放大应用,是2SC519型号的补充。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base)。 - 2号引脚:发射极(Emitter)。 - 3号引脚:集电极(Collector)。

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-130V,开路发射极。 - 集电极-发射极电压(VCEO):-130V,开路基极。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V,开路集电极。 - 集电极电流(Ic):-7A。 - 集电极功耗(Pc):在25°C时为50W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

5. 功能详解: - 击穿电压(V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO):在不同条件下的最小、典型和最大值。 - 饱和电压(VCEsat、VBEsat):在特定条件下的值。 - 截止电流(ICBO、IEBO):在不同电压下的值。 - 直流电流增益(hFE):在特定集电极电流和电压下的最小和最大值。 - 集电极输出电容(COB):在不同条件下的值。 - 转换频率(fr):在特定条件下的值。

6. 应用信息: - 适用于音频频率和功率放大应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-3封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.1mm。
2SA656 价格&库存

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