2SB1057

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SB1057 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·Complement to type 2SD1488 ·High fT ·Satisfactory linearity of hFE ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION 2SB1057 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25 PC Collector power dissipation 3 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 150 -55~150 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -150 -150 -5 -9 -15 100 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-7A ;IB=-0.7A IC=-7A ; VCE=-5V VCB=-150V; IE=0 VEB=-3V; IC=0 IC=-20mA ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IC=-7A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-10V 20 40 20 MIN 2SB1057 SYMBOL VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 hFE -3 COB fT TYP. MAX -2.0 -1.8 -50 -50 UNIT V V µA µA 200 450 20 pF MHz hFE-2 classifications R 40-80 Q 60-120 P 100-200 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1057 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3

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2SB1057

物料型号： - 型号：2SB1057

器件简介： - 2SB1057是一款由SavantIC Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。 - 特点包括：TO-3PFa封装、与2SD1488型号互补、高f_T、hFE线性令人满意、安全操作区域广泛。 - 应用：适用于高功率放大器应用。

引脚分配： - 1: Base（基极） - 2: Collector（集电极） - 3: Emitter（发射极）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：-150V，开路发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：-150V，开路基极 - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - Ic（集电极电流）：-9A - Icp（集电极峰值电流）：-15A - Pc（集电极功耗）：100W，Tc=25°C - Tj（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-55~150°C

功能详解： - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：-2.0V，Ic=-7A，IB=-0.7A - VBE（基极-发射极导通电压）：-1.8V，Ic=-7A，VcE=-5V - Ic8o（集电极截止电流）：-50A，VcB=-150V，Ie=0 - IEBO（发射极截止电流）：-50A，VEB=-3V，Ic=0 - hFE（直流电流增益）： - hFE-1：20，Ic=-20mA，Vce=-5V - hFE-2：40~200，Ic=-1A，VcE=-5V - hFE-3：20，Ic=-7A，VcE=-5V - COB（输出电容）：450pF，Ie=0，VcB=-10V，f=1MHz - fr（转换频率）：20MHz，Ic=-0.5A，VcE=-10V

应用信息： - 适用于高功率放大器应用。

封装信息： - TO-3PFa封装，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.30mm。

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