1. 物料型号：2SB1096，这是一个硅PNP功率晶体管。
2. 器件简介：
- 采用TO-220Fa封装。
- 具有高击穿电压。
- 是2SD1587型号的互补类型。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：发射极（Emitter）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：基极（Base）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：开路发射极时为-200V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：开路基极时为-150V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：开路集电极时为-5V。
- 集电极电流（IC）：-2A。
- 集电极功耗（PC）：未给出具体数值。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。
5. 功能详解：
- 该晶体管的主要特性包括击穿电压、饱和电压和直流电流增益等。
- 具体数值如下：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-150V。
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-5V。
- 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：-1.0V。
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-1.5V。
- 集电极截止电流（ICBO）：-50A。
- 发射极截止电流（IEBO）：-50A。
- 直流电流增益（hFE）：40至200，具体分为M（40-80）、L（60-120）、K（100-200）等级。
- 转换频率（fT）：5MHz。
6. 应用信息：适用于电视垂直输出应用。
7. 封装信息：提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图，未给出具体尺寸公差，但标注为±0.15mm。
