1. 物料型号：2SB1136，是一款硅PNP功率晶体管。
2. 器件简介：
- 采用TO-220F封装。
- 是2SD1669的互补型号。
- 具有低集电极饱和电压。
- 广泛的ASO（Active-Semicondcutor Output）。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：发射极（Emitter）。
- 2号引脚：集电极（Collector）。
- 3号引脚：基极（Base）。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（在Ta=25°C时）：
- VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，-60V。
- VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，-50V。
- VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，-6V。
- Ic：集电极电流，-12A。
- IcM：集电极峰值电流，-15A。
- Pc：集电极耗散功率，在T=25°C时为2W，在Tc=25°C时为3W。
- Tj：结温，150°C。
- Tstg：存储温度，-55至150°C。
5. 功能详解：
- 特性（在Tj=25°C时，除非另有说明）：
- V(BR)CEO：集电极-发射极击穿电压，IC=-1mA；RBE=∞，-50V。
- V(BR)CBO：集电极-基极击穿电压，IC=-1mA；IE=0，-60V。
- V(BR)EBO：发射极-基极击穿电压，IE=-1mA；IC=0，-6V。
- VCEsat：集电极-发射极饱和电压，IC=-6A；IB=-0.6A，-0.4V。
- ICBO：集电极截止电流，VCB=-40V；IE=0，-100µA。
- IEBO：发射极截止电流，VEB=-4V；IC=0，-100µA。
- hFE-1：直流电流增益，IC=-1A；VCE=-2V，70至280。
- hFE-2：直流电流增益，IC=-5A；VCE=-2V，30。
- fT：过渡频率，IC=-1A；VCE=-5V，10MHz。
- 开关时间：顿开时间0.2µs，存储时间0.4µs，下降时间0.1µs。
6. 应用信息：
- 继电器驱动器。
- 高速逆变器、转换器。
- 一般高电流开关应用。
7. 封装信息：
- TO-220F封装，具体尺寸见图2。
