2SB1225

2SB1225

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1225 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SB1225 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1225 DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SD1827 ·High DC current gain. ·Large current capacity and wide ASO. ·Low saturation voltage. ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Suitable for use in control of motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, and constant-voltage regulators. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25 PC Collector dissipation 2 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -70 -60 -6 -10 -15 30 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1225 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=-5mA; IE=0 IC=-50mA; RBE=? IC=-5A ; IB=-10mA IC=-5A ; IB=-10mA VCB=-40V;IE=0 VEB=-5V;IC=0 IC=-5A ; VCE=-2V 2000 5000 MIN -70 -60 -1.0 -1.5 -2.0 -0.1 -3.0 TYP. MAX UNIT V V V V mA mA SYMBOL V(BR)CBO V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=5A; IB1=0.01A -IB2=0.01A VCC=20V ,RL=4B 0.5 1.5 1.7 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1225 Fig.2 Outline dimensions 3
2SB1225
1. 物料型号:2SB1225 2. 器件简介: - 采用TO-220F封装。 - 与2SD1827型号互补。 - 具有高直流电流增益。 - 具有大电流容量和宽ASO。 - 低饱和电压。 - 达林顿结构。 3. 引脚分配: - 1号脚:基极(Base) - 2号脚:集电极(Collector) - 3号脚:发射极(Emitter) 4. 参数特性: - 集-基极电压(VCBO):开路发射极时为-70V。 - 集-发射极电压(VCEO):开路基极时为-60V。 - 发-基极电压(VEBO):开路集电极时为-6V。 - 集电极电流(IC):-10A。 - 集电极峰值电流(ICM):-15A。 - 集电极耗散功率(PC):2W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55~150°C。 5. 功能详解: - 集-基极击穿电压(V(BR)CBO):IC=-5mA,IE=0时为-70V。 - 集-发射极击穿电压(V(BR)CEO):IC=-50mA,RBE=∞时为-60V。 - 集-发射极饱和电压(VCEsat):IC=-5A,IB=-10mA时为-1.0~-1.5V。 - 发-基极饱和电压(VBEsat):-2.0V。 - 集电极截止电流(ICBO):VCB=-40V,IE=0时为-0.1mA。 - 发射极截止电流(IEBO):VEB=-5V,IC=0时为-3.0mA。 - 直流电流增益(hFE):IC=-5A,VCE=-2V时为2000~5000。 - 开关时间:开通时间(ton)为0.5µs,存储时间(ts)为1.5µs,下降时间(tf)为1.7µs。 6. 应用信息: - 适用于控制电机驱动器、打印机锤驱动器、继电器驱动器和恒压调节器。 7. 封装信息: - TO-220F封装,具体尺寸和外形图见文档中的Fig.1简化外形图和符号。
2SB1225 价格&库存

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