2SB1294

2SB1294

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1294 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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  • 价格&库存
2SB1294 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1294 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1897 ·wide ASO APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications,power drivers and DC-DC converters PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector -emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -100 -100 -5 -5 -10 30 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=-1mA; IB=0 IC=-50µA; IE=0 IE=-50µA; IC=0 IC=-3A ;IB=-0.3A IC=-3A ;IB=-0.3A VCB=-100V; IE=0 VEB=-4V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IE=-0.5A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz 60 MIN -100 -100 -5 2SB1294 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT COB TYP. MAX UNIT V V V -1.0 -1.5 -10 -10 320 12 120 V V µA µA MHz pF hFE Classifications D 60-120 E 100-200 F 160-320 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1294 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.15 mm) 3
2SB1294
物料型号:2SB1294

器件简介: - 2SB1294是一款硅PNP功率晶体管。 - 采用TO-220Fa封装。 - 具有低集电极饱和电压。 - 与2SD1897型号互补。 - 广泛应用于低频功率放大器、功率驱动器和DC-DC转换器。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(W Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-100V,开发射极。 - 集电极-发射极电压(VCEO):-100V,开基极。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V,开集电极。 - 集电极电流(Ic):-5A。 - 集电极峰值电流(ICM):-10A。 - 集电极功耗(Pc):30W,结温Tc=25°C。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益(hFE)、转换频率(fr)和输出电容(CoB)。

应用信息: - 适用于低频功率放大器应用、功率驱动器和DC-DC转换器。

封装信息: - 封装类型为TO-220Fa,具体尺寸见图2,未标注的公差为±0.15mm。
2SB1294 价格&库存

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