物料型号：
- 型号：2SB1341
器件简介：
- 2SB1341是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-220C封装。
- 特点包括高直流电流增益、低饱和电压，是一款达林顿管。
- 适用于低频功率放大器和功率驱动应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 集电区-基区电压（VCBO）：-80V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V，开路基极。
- 发射极-基区电压（VEBO）：-7V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：-4A。
- 集电极峰值电流（IcM）：-6A。
- 集电极功耗（Pc）：在Ta=25°C时为2W，在Tc=25°C时为35W。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。
功能详解：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BRCEO)）：在Ic=-1mA且Ib=0条件下为-80V。
- 集基区击穿电压（V(BRCBO)）：在Ic=-50μA且Ie=0条件下为-80V。
- 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在Ic=-2A且Ib=-4mA条件下在-1.0V至-1.5V之间。
- 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=-80V且IE=0条件下小于100μA。
- 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-5V且Ic=0条件下小于3.0mA。
- 直流电流增益（hFE）：在Ic=-2A且VcE=-3V条件下最小为1000，典型值为10000。
- 转换频率（fr）：在Ic=-0.5A且VcE=-5V条件下为12MHz。
- 输出电容（CoB）：在Ie=0，VcB=-10V，f=1MHz条件下为45pF。
应用信息：
- 适用于低频功率放大器和功率驱动应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-220C。
- 给出了简化的外形图和符号，以及外形尺寸图，未标明的公差为±0.10mm。
