1. 物料型号：2SB1347，是Silicon PNP Power Transistors。
2. 器件简介：
- 采用TO-3PL封装。
- 是2SD2029的补充型号。
- 具有广泛的安全操作区域。
- 高过渡频率fT。
- 最适合作为Hi-Fi音频放大器的输出级。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：Emitter（发射极）。
- 2号引脚：Collector（集电极）；与W安装底座相连。
- 3号引脚：Base（基极）。
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-160V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-160V，开路基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：-12A。
- 集电极峰值电流（IcM）：-20A。
- 集电极功耗（Pc）：3.5W，T=25℃时为120W。
- 结温（Tj）：150℃。
- 存储温度（Tstg）：-55~150℃。
5. 功能详解：
- 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：在Ic=-8A；Ia=-0.8A时，最小值为-2.0V。
- 基极-发射极导通电压（VBE）：在Ic=-8A；VcE=-5V时，最小值为-1.8V。
- 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=-160V；IE=0时，最大值为-50μA。
- 发射极截止电流（IEBO）：在V EB=-3V；Ic=0时，最大值为-50μA。
- 直流电流增益（hFE）：在Ic=-20mA；VcE=-5V时，最小值为20；在Ic=-1A；VcE=-5V时，典型值为60，最大值为200；在Ic=-8A；VcE=-5V时，最小值为20。
- 过渡频率（fr）：在Ic=-0.5A；VcE=-5V；f=1MHz时，典型值为15MHz。
- 集电极输出电容（CoB）：在IE=0；f=1MHz；Vcs=-10V时，典型值为400pF。
6. 应用信息：适用于高功率放大。
7. 封装信息：TO-3PL封装，具体尺寸见图2。
