2SB1361

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SB1361 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1361 DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·Complement to type 2SD2052 ·High transition frequency ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For high power amplification PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25 PC Collector power dissipation 3 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 150 -55~150 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -150 -150 -5 -9 -15 100 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-7A ;IB=-0.7A IC=-7A ; VCE=-5V VCB=-150V; IE=0 VEB=-3V; IC=0 IC=-20mA ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IC=-7A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-5V;f=1MHz 20 60 20 MIN 2SB1361 SYMBOL VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 hFE -3 COB fT TYP. MAX -2.0 -1.8 -50 -50 UNIT V V µA µA 200 270 15 pF MHz hFE-2 classifications R 40-80 Q 60-120 P 100-200 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1361 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3

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2SB1361

1. 物料型号：2SB1361，这是一种硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-3PFa封装。 - 与2SD2052型号互补。 - 高转换频率。 - 宽广的安全操作区域。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-150V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-150V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：-9A。 - 集电极电流（IcP）：-15A。 - 集电极功耗（Pc）：100W，结温Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-2.0V，Ic=-7A；Ib=-0.7A。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：-1.8V，Ic=-7A；VcE=-5V。 - 集电极截止电流（IcsO）：-50A，VcB=-150V；Ie=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：-50A，VEB=-3V；Ic=0。 - 直流电流增益（hFE）：有三档，分别为Ic=-20mA时20，Ic=-1A时60至200，Ic=-7A时20。 - 输出电容（COB）：270pF，Ic=0；VcB=-10V；f=1MHz。 - 转换频率（fr）：15MHz，Ic=-0.5A；VcE=-5V；f=1MHz。

6. 应用信息：适用于高功率放大。

7. 封装信息：TO-3PFa封装，具体尺寸图见文档中的Fig.2。

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