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2SB1382

2SB1382

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1382 - Silicon PNP Darlington Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1382 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1382 DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Complement to type 2SD2082 APPLICATIONS ·For chopper regulator,DC motor driver and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Maximum absolute ratings(Tc=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -120 -120 -6 -16 -26 -1 75 150 -55~150 UNIT V V V A A A W 1 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=-10mA; IB=0 IC=-8 A;IB=-16m A IC=-8 A;IB=-16m A VCB=-120V; IE=0 VEB=-6V; IC=0 IC=-8A ; VCE=-4V IE=1A ; VCE=-12V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz 2000 MIN -120 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT COB 2SB1382 TYP. MAX UNIT V -1.5 -2.5 -10 -10 V V µA mA 50 350 MHz pF Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-8A;RL=5A IB1=-IB2=-16mA VCC=-40V 0.8 1.8 1.0 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1382 Fig.2 Outline dimensions 3
2SB1382
物料型号: - 型号为2SB1382,是一个PNP达林顿功率晶体管。

器件简介: - 2SB1382是一个硅PNP达林顿功率晶体管,主要用于斩波调节器、直流电机驱动和通用应用。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):-120V,开路发射极 - 集-射电压(VCEO):-120V,开路基极 - 发-基电压(VEBO):-6V - 集电极电流(Ic):-16A - 集电极峰值电流(ICM):-26A - 基极电流(IB):-1A - 集电极功耗(Pc):75W,在25°C时 - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55至150°C

功能详解: - 该晶体管具有达林顿结构,提供高电流增益(hFE)和低饱和电压(VCEsat),适用于需要高电流和低功耗的应用场合。

应用信息: - 适用于斩波调节器、直流电机驱动和通用应用。

封装信息: - 封装类型为TO-3PML,具体尺寸和符号见PDF中的图1和图2。
2SB1382 价格&库存

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