2SB1429

2SB1429

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1429 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1429 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1429 DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SD2155 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -180 -180 -5 -15 -1.5 150 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=-50mA ;IB=0 IC=-8A ;IB=-0.8A IC=-6A ; VCE=-5V VCB=-180V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IC=-6A ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IE=0;f=1MHz;VCB=-10V 55 30 MIN -180 2SB1429 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB TYP. MAX UNIT V -3.0 -1.5 -5 -5 160 V V µA µA 10 340 MHz pF hFE-1 classifications R 55-10 O 80-160 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1429 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.50 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1429 4
2SB1429
1. 物料型号:2SB1429,是一款硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介: - 封装类型:TO-3PL。 - 与2SD2155型号互补。 - 应用领域:功率放大器应用,推荐用于100W高保真音频频率放大器输出阶段。

3. 引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter)。 - 2号引脚:安装底(mounting base),连接到集电极(Collector)。 - 3号引脚:基极(Base)。

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):开发射极时为-180V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):开基极时为-180V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极电流(IC):-15A。 - 基极电流(IB):-1.5A。 - 集电极功耗(PC):在150°C时为150W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

5. 功能详解: - 特性表中详细列出了不同工作条件下的最小值、典型值和最大值,包括集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)、集电极-发射极饱和电压(VcEsat)、基极-发射极电压(VBE)、集电极截止电流(IcBo)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)以及过渡频率(fr)等。

6. 应用信息: - 主要应用于功率放大器,特别是推荐用于100W高保真音频频率放大器的输出阶段。

7. 封装信息: - 提供了TO-3PL封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.50mm。
2SB1429 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SB1429”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货