1. 物料型号：2SB1567，这是一个Silicon PNP Power Transistors（硅PNP功率晶体管）。
2. 器件简介：
- 采用TO-220F封装。
- 与2SD2398型号相补。
- 具有高直流电流增益。
- 适用于达林顿应用和功率放大应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：-100V，开路发射极。
- 集-射电压（VCEO）：-100V，开路基极。
- 发-基电压（VEBO）：-8V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：-2A。
- 集电极峰值电流（ICM）：-3A。
- 集电极耗散功率（Pc）：在Tc=25℃时为20W。
- 结温（Tj）：150℃。
- 存储温度（Tstg）：-55~150℃。
5. 功能详解：
- 击穿电压（V(BR)CEO）：在Ic=-5mA且Ib=0时为-100V。
- 饱和电压（VcEsat）：在Ic=-1A且Ia=-1mA时小于1.5V。
- 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=-100V且IE=0时小于10A。
- 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-7V且Ic=0时小于3.0mA。
- 直流电流增益（hFE）：在Ic=-1A且VcE=-2V时，范围为1000至10000。
6. 应用信息：适用于功率放大和达林顿配置。
7. 封装信息：TO-220F封装，具体外形图已提供。
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