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2SB1588

2SB1588

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1588 - Silicon PNP Darlington Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1588 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1588 DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Complement to type 2SD2439 APPLICATIONS ·Audio ,regulator and general purpose PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -160 -150 -5 -10 -1 80 150 -55~150 UNIT V V V A A W 1 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=-50mA; IB=0 IC=-7 A;IB=-7m A IC=-7 A;IB=-7m A VCB=-160V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-7A ; VCE=-4V IC=-2A ; VCE=-12V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz 5000 MIN -150 2SB1588 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT COB TYP. MAX UNIT V -2.5 -3.0 -100 -100 V V µA µA 50 230 MHz pF Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-7A;RL=10B IB1=-IB2=-7mA VCC=-70V 0.8 3.0 1.2 µs µs µs hFE classifications O 5000-12000 P 6500-20000 Y 15000-30000 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1588 Fig.2 Outline dimensions 3
2SB1588
1. 物料型号:2SB1588,由SavantIC Semiconductor生产的硅PNP达林顿功率晶体管。

2. 器件简介:该晶体管具有TO-3PML封装,并是2SD2439型号的补充。主要应用于音频、调节器和一般用途。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集-基电压(VCBO):-160V,开路发射极 - 集-射电压(VCEO):-150V,开路基极 - 发-基电压(VEBO):-5V,开路集电极 - 集电极电流(Ic):-10A - 基极电流(Ib):-1A - 集电极功率耗散(Pc):80W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 储存温度(Tstg):-55~150°C

5. 功能详解:包括击穿电压、饱和电压、截止电流、直流电流增益、转换频率、输出电容和开关时间等特性。例如,集-射击穿电压(V(BR)CEO)为-150V,集-射饱和电压(VCEsat)为-2.5V,基-射饱和电压(VBEsat)为-3.0V,直流电流增益(hFE)范围为5000至30000。

6. 应用信息:主要用于音频、调节器和一般用途。

7. 封装信息:TO-3PML封装,具体尺寸如图2所示。
2SB1588 价格&库存

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