物料型号：
- 2SB1605
- 2SB1605A
器件简介：
- 2SB1605和2SB1605A是硅PNP功率晶体管，具有TO-220F封装。
- 特点包括低集电极饱和电压和良好的hFE线性。
引脚分配：
| PIN | DESCRIPTION |
| --- | --- |
| 1 | Base（基极） |
| 2 | Collector（集电极） |
| 3 | Emitter（发射极） |
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO（集电极-基极电压）：2SB1605为-60V，2SB1605A为-80V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：2SB1605为-60V，2SB1605A为-80V。
- VEBO（发射极-基极电压）：-5V。
- Ic（集电极电流）：-3A。
- ICM（集电极峰值电流）：-5A。
- Pc（集电极耗散功率）：在T=25°C时为2W，在Tc=25°C时为35W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（存储温度）：-55至150°C。
功能详解：
- 特性（Tj=25°C，除非另有说明）：
- V(BR)CEO（击穿电压）：2SB1605为-60V，2SB1605A为-80V。
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：2SB1605为-1.2V，2SB1605A为-1.8V。
- VBE（基极-发射极导通电压）：2SB1605为-1.8V，2SB1605A为-1.8V。
- ICES（集电极截止电流）：2SB1605A为-200µA，2SB1605为-300µA。
- IEBO（发射极截止电流）：-1mA。
- hFE-1（直流电流增益）：IC=-1A，VCE=-4V时为70至250。
- hFE-2（直流电流增益）：IC=-3A，VCE=-4V时为10。
- fT（过渡频率）：IC=-0.5A，VCE=-10V时为30MHz。
- 开启时间：0.5µs。
- 存储时间：1.2µs。
- 下降时间：0.3µs。
应用信息：
- 适用于低电压开关应用。
封装信息：
- 提供了TO-220F封装的简化外形图和符号。
