物料型号：
- 型号：2SB632 和 2SB632K
器件简介：
- 2SB632 和 2SB632K 是硅PNP功率晶体管，具有TO-126封装，是2SD612/612K的补充型号，具有高集电极耗散能力和广泛的安全工作区（ASO）。
引脚分配：
- 1号引脚：发射极（Emitter）
- 2号引脚：安装基座，连接到集电极（Collector）
- 3号引脚：基极（Base）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 2SB632：集电极-基极电压（VCBO）为-35V，集电极-发射极电压（VCEO）为-35V，发射极-基极电压（VEBO）为-5V，集电极电流（IC）为-2A，集电极峰值电流（ICM）为-3A。
- 2SB632K：与2SB632相同，但集电极-基极电压（VCBO）和集电极-发射极电压（VCEO）为-25V。
- 工作温度范围：结温（Tj）最高150°C，存储温度（Tstg）-55~150°C。
功能详解和应用信息：
- 应用于25V/35V、2A低频功率放大。
- 特性包括集电极发射极击穿电压、集电极基极击穿电压、发射极基极击穿电压、饱和压降、截止电流等。
- 直流电流增益（hFE）分为两个范围：hFE-1（60-320），hFE-2（30-320）。
- 过渡频率（fr）为100MHz，集电极输出电容（COB）为45pF。
封装信息：
- 封装类型为TO-126，具体尺寸见图2。
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