2SB655

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SB655 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SB655 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB655 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -160 -160 -6 -12 -20 100 150 -40~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=-30mA ;IB=0 IC=-1mA ;IE=0 IE=-1mA ;IC=0 IC=-6A; IB=-0.6A IC=-1A ; VCE=-5V VCB=-120V; IE=0 VEB=-4V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IC=-5A ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V 35 20 20 MIN -160 -160 -6 TYP. 2SB655 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT MAX UNIT V V V -2.5 -1.5 -0.1 -0.1 200 V V mA mA MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB655 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SB655

物料型号： - 型号：2SB655

器件简介： - 该器件是一个硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装。 - 特点包括低集电极饱和电压和高功率耗散。 - 适用于功率放大应用，特别推荐用于高保真音频频率放大器的输出阶段。

引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-160V，开发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-160V，开基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-6V，开集电极。 - 集电极电流（Ic）：-12A。 - 集电极峰值电流（ICM）：-20A。 - 集电极功率耗散（Pc）：100W，Tc=25°C。 - 结温（TJ）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-40°C至150°C。

功能详解： - 该晶体管在25°C结温下的特性包括： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-160V，Ic=-30mA，Ib=0。 - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CBO）：-160V，Ic=-1mA，Ie=0。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-6V，Ie=-1mA，Ic=0。 - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-2.5V，Ic=-6A，Ib=-0.6A。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：-1.5V，Ic=-1A，VcE=-5V。 - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，Vcs=-120V，Ie=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，VEB=-4V，Ic=0。 - 直流电流增益（hFE-1）：35至200，Ic=-1A，VcE=-5V。 - 直流电流增益（hFE-2）：20，Ic=-5A，VcE=-5V。 - 转换频率（fr）：20MHz，Ic=-1A，VcE=-5V。

应用信息： - 适用于功率放大应用，特别推荐用于高保真音频频率放大器的输出阶段。

封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.1mm。

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