1. 物料型号：
- 型号为2SB674，是一款硅PNP功率晶体管。
2. 器件简介：
- 该器件采用TO-220C封装，具有达林顿结构，高直流电流增益，低集电极饱和电压，是2SD634型号的互补类型。
3. 引脚分配：
- 1号引脚为基极（Base）。
- 2号引脚为集电极，连接到安装底板（Collector; connected to mounting base）。
- 3号引脚为发射极（Emitter）。
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-80V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V，开路基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：-7A。
- 基极电流（IB）：-0.2A。
- 集电极功耗（Pc）：40W，Tc=25°C。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。
5. 功能详解：
- 该器件具有高功率开关应用，如锤击驱动、脉冲电机驱动应用。
- 其主要特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等。
6. 应用信息：
- 适用于高功率开关应用，如锤击驱动和脉冲电机驱动。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220C，具体尺寸和符号见图1简化外形图和符号。
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