物料型号：
- 型号：2SB676
器件简介：
- 2SB676是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-220C封装。
- 具有高直流电流增益，最小值为2000（在VCE=-2V，IC=-1A时）。
- 达林顿结构。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：-100V，开路发射极。
- 集-射电压（VCEO）：-80V，开路基极。
- 发-基电压（VEBO）：-5V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：-4A。
- 集电极功耗（Pc）：30W，Tc=25°C。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-55至150°C。
功能详解：
- 适用于开关应用、锤驱动、脉冲电机驱动应用和功率放大器应用。
- 具有特定的击穿电压、饱和电压和截止电流等特性。
应用信息：
- 开关应用。
- 锤驱动、脉冲电机驱动应用。
- 功率放大器应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-220C，文档中提供了简化外形图和符号。
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