物料型号：
- 型号为2SB713。
器件简介：
- 2SB713是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-3PN封装。
- 拥有广泛的安全工作区域和出色的hFE线性。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：安装底（mounting base），连接到集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Tc=25°C）：
- VCBO（集电极-基极电压，开路发射极）：-200V
- VCEO（集电极-发射极电压，开路基极）：-140V
- VEBO（发射极-基极电压，开路集电极）：-5V
- IC（集电极电流，直流）：-9A
- ICP（集电极电流，脉冲）：-15A
- PC（集电极功耗）：100W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（存储温度）：-55~150°C
功能详解：
- 特性表（Tj=25°C，除非另有说明）：
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：Ic=-7A; Ib=-0.7A时，最小值-2.0V
- VBE（基极-发射极导通电压）：Ic=-7A; VcE=-5V时，最小值-1.8V
- ICBO（集电极截止电流）：VcB=-140V; IE=0时，最大值-50μA
- IEBO（发射极截止电流）：VEB=-3V; Ic=0时，最大值-50μA
- hFE（直流电流增益）：
- hFE-1：Ic=-20mA; VcE=-5V时，最小值20
- hFE-2：Ic=-1A; VcE=-5V时，最小值40，最大值200
- hFE-3：Ic=-7A; VcE=-5V时，最小值15
- fr（转换频率）：Ic=-0.5A; VcE=-5V时，7MHz
- CoB（集电极输出电容）：f=1MHz; VcB=-10V时，最大值220pF
应用信息：
- 适用于高功率放大器应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-3PN。
