物料型号：
- 型号为2SB722。
器件简介：
- 该器件是一个硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装，具备高电流能力和高功率耗散能力。适用于功率放大器应用。
引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：发射极（Emitter）
- 引脚3：集电极（Collector）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-160V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-160V，开路基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：-15A。
- 基极电流（IB）：-4A。
- 集电极功率耗散（Pc）：150W，Tc=25°C。
- 结温（Tj）：150°C。
- 储存温度（Tstg）：-55至200°C。
功能详解：
- 该器件能在特定条件下提供集电极发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、集电极截止电流、发射极截止电流和直流电流增益等参数。
应用信息：
- 适用于功率放大器应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。
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