2SB834

2SB834

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB834 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SB834 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB834 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD880 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Ta=25 PC Collector power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 30 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -60 -60 -7 -3 -0.5 1.5 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Base-emitter on voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Collector output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-50mA ; IB=0 IC=-0.5A ; VCE=-5V IC=-3A;IB=-0.3A VCB=-60V;IE=0 VEB=-7V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-5V IC=-3A ; VCE=-5V IE=0; VCB=-10V; f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-5V 60 20 MIN -60 SYMBOL V(BR) CEO VBE VCEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT 2SB834 TYP. MAX UNIT V -0.7 -0.5 -1.0 -1.0 -0.1 -0.1 200 V V mA mA 150 9 pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time VCC=-30V; RL=15A IB1=-IB2=-0.2A 0.4 1.7 0.5 µs µs µs hFE-1 classifications O 60-120 Y 100-200 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB834 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB834 4
2SB834
1. 物料型号:2SB834,这是SavantIC Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。

2. 器件简介: - 采用TO-220封装。 - 低集电极饱和电压。 - 是2SD880型号的互补类型。

3. 引脚分配: - 1号引脚:Emitter(发射极)。 - 2号引脚:Collector(集电极;连接到安装底座)。 - 3号引脚:Base(基极)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VCBO:Collector-base voltage(集电极-基极电压)-60V。 - VCEO:Collector-emitter voltage(集电极-发射极电压)-60V。 - VEBO:Emitter-base voltage(发射极-基极电压)-7V。 - lc:Collector current(集电极电流)-3A。 - 1B:Base current(基极电流)-0.5A。 - Pc:Collector power dissipation(集电极功率耗散)1.5W(T=25°C时)/30W(Tc=25°C时)。 - Tj:Junction temperature(结温)150°C。 - Tstg:Storage temperature(储存温度)-55~150°C。

5. 功能详解: - 包括了不同条件下的参数值,例如集电极-发射极击穿电压、基极-发射极导通电压、集电极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、集电极输出电容和过渡频率等。

6. 应用信息: - 音频频率功率放大器。

7. 封装信息: - 提供了TO-220C的简化外形图和符号,以及外形尺寸图(未标注公差±0.10mm)。
2SB834 价格&库存

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