### 物料型号
- 型号：2SB896 和 2SB896A
### 器件简介
- 这些是硅PNP功率晶体管，具有TO-220C封装。
- 特点包括低集电极饱和电压和高速开关能力。
### 引脚分配
- 1：发射极（Emitter）
- 2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 3：基极（Base）
### 参数特性
- VCBO（Collector-base voltage）：
- 2SB896：-40V
- 2SB896A：-50V
- VCEO（Collector-emitter voltage）：
- 2SB896：-20V
- 2SB896A：-40V
- VEBO（Emitter-base voltage）：-5V
- Ic（Collector current (DC)）：-10A
- ICM（Collector current-Peak）：-15A
- Pc（Collector power dissipation）：35W（在Tc=25°C时）
- Tj（Junction temperature）：150°C
- Tstg（Storage temperature）：-50~150°C
### 功能详解
- V(BR)CEO（Breakdown voltage Collector-emitter）：
- 2SB896：-40V
- 2SB896A：IC=-10mA; IB=0时为-40V
- VCEsat（Collector-emitter saturation voltage）：IC=-7A; IB=-0.23A时为-0.6V
- VBEsat（Base-emitter saturation voltage）：IC=-7A; IB=-0.23A时为-1.5V
- ICBO（Collector cut-off current）：-50µA
- IEBO（Emitter cut-off current）：VEB=-5V; IC=0时为-50µA
- hFE（DC current gain）：
- hFE-1：IC=-0.1A; VCE=-2V时为45
- hFE-2：IC=-2A; VCE=-2V时为60~260
- Cob（Output capacitance）：IE=0; VCB=-10V; f=1MHz时为200pF
- fT（Transition frequency）：IC=-0.5A; VCE=-10V时为150MHz
### 应用信息
- 适用于低电压开关应用。
### 封装信息
- 封装类型为TO-220C，具体尺寸见图2（未提供具体图像链接）。
