1. 物料型号：2SB965，是SavantIC Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。
2. 器件简介：
- 2SB965是与2SD1288型号互补的硅PNP功率晶体管。
- 封装为TO-3PFa。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO：-120V（开路发射极）
- VCEO：-120V（开路基极）
- VEBO：-5V（开路集电极）
- Ic：-7A（集电极电流）
- Pc：70W（集电极功耗，Tc=25°C）
- Tj：150°C（结温）
- Tstg：-55~150°C（储存温度）
5. 功能详解：
- 特性参数（Tj=25°C，除非另有说明）：
- V(BR)CEO：-120V（集电极-发射极击穿电压，Ic=-25mA; Is=0）
- VcEsat：-1.5V（集电极-发射极饱和电压，Ic=-4A; IB=-0.4A）
- VBEsat：-2.0V（基极-发射极饱和电压，Ic=-4A; IB=-0.4A）
- IcBO：-50μA（集电极截止电流，Vcs=-120V; Is=0）
- IEBO：-50μA（发射极截止电流，VEB=-5V; Ic=0）
- hFE-1：60-320（直流电流增益，Ic=-1A; VcE=-5V）
- hFE-2：20（直流电流增益，Ic=-4A; VcE=-5V）
- CoB：150pF（输出电容，IE=0; VcB=-10V; f=1MHz）
- fr：75MHz（转换频率，Ic=-1A; VcE=-5V）
6. 应用信息：
- 适用于低频和功率放大应用。
7. 封装信息：
- 图2显示了TO-3PFa封装的外形尺寸，未标明的公差为±0.30mm。
