1. 物料型号：
- 型号：2SB974
2. 器件简介：
- 描述：该器件是一个达林顿结构的硅PNP功率晶体管，具有ITO-220封装。
- 特点：高直流电流增益、低集电极饱和电压。
- 应用：低频功率放大和低速功率开关应用。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：集电极（Collector）
- 引脚3：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-100V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-100V
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V
- 集电极电流（IC）：-5A
- 功耗（PC）：30W
- 环境温度（Ta）：1.5°C
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
- 电气特性：
- 维持电压（VCEO(SUS)）：-100V
- 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：-100V
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-5V
- 饱和电压（VCEsat）：-1.5V
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-2.0V
- 集电极截止电流（IcBO）：-1A
- 发射极截止电流（ICEO）：-100A
- 发射极截止电流（IEBO）：-5.0mA
- 直流电流增益（hFE）：2000至20000
5. 功能详解：
- 该晶体管适用于低频功率放大和低速功率开关应用，具有高直流电流增益和低集电极饱和电压，使其在这些应用中表现出色。
6. 应用信息：
- 应用：低频功率放大和低速功率开关应用。
7. 封装信息：
- 封装类型：ITO-220
- 封装图示：文档中提供了ITO-220封装的简化外形图和符号。
